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分子束外延(MBE)

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設備名稱(chēng):分子束外延(MBE)

設備用途:
MBE是生長(cháng)高純薄膜晶體的一種頂尖的薄膜生長(cháng)手段,相比其他生長(cháng)方法具有較高的優(yōu)越性,可以在原子層量級精確控制薄膜厚度和摻雜度,可以實(shí)現通過(guò)人為生長(cháng)進(jìn)行能帶工程的剪裁,可以生長(cháng)量子點(diǎn)、量子阱、二維超晶格等。
可生長(cháng)外延結構
光學(xué)器件(激光器、探測器、可飽和吸收鏡、超輻射發(fā)光二極管等)
電學(xué)器件(HEMT,pHEMT,HBT等)


主要規格及技術(shù)指標
生長(cháng)室最高工作溫度800℃;可生長(cháng)GaAs,AlAs,InAs,InP等III-V族材料,可進(jìn)行Be,Si、C等摻雜;生長(cháng)室真空度優(yōu)于5E-11Torr,兼容2inch、3inch、4inch、6inch

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